北京工業(yè)大學微電子學與固體電子學碩導(dǎo)－邢艷輝 正文

　　一、基本情況

　　邢艷輝， 2001年畢業(yè)于長春理工大學光學工程專業(yè)，獲碩士學位，同年到在北京工業(yè)大學電子信息與控制工程學院從事教學與科研工作，2008獲北京工業(yè)大學微電子學與固體電子學博士學位。2007年獲得“北京工業(yè)大學德育教育先進個人”，2009年獲得“北京工業(yè)大學就業(yè)工作先進個人”。

　　二、科研工作

　　主要從事GaAs，GaN，InP，GeSi等半導(dǎo)體材料的光電特性測試分析工作，近年來主要利用高精度X射線雙晶衍射（XRD）、光致發(fā)光（PL）、原子力顯微鏡（AFM）等測試儀器研究GaN材料特性及LED器件制備工作。工作期間作為骨干成員參加了包括國家自然科學基金、863、北京市自然科學基金、北京市教委等課題的研究。目前作為負責人主持北京市自然科學基金項目“MOCVD生長非極性a面GaN材料光電特性研究”的研究工作。

　　三、教學工作

　　主講本科生課程：《熱力學與統(tǒng)計物理》

　　
　　四、論文

　　在國內(nèi)外學術(shù)刊物發(fā)表論文30余篇，其中SCI、EI收錄32篇，代表性論文：

　　1.Xing Yanhui, Han Jun, Deng Jun et al, Investigation of GaN layer grown on different low misoriented sapphire by MOCVD，Applied Surface Science 2009 255 (3) :6121 -6124

　　2. Xing Yanhui, Han Jun, Deng Jun, et al， Interrupted Mg doping of GaN with MOCVD for improved p-type layers.  Vaccum  2007，82（9）：1-4

　　3.邢艷輝，鄧軍，李建軍等，引入n型 InGaN/GaN超晶格層提高量子阱特性研究 物理學報 2009 58（1）：590-595              

　
　　4. 邢艷輝,劉建平，鄧軍等，壘摻In提高InGaN/GaN多量子阱發(fā)光特性 物理學報 2007，56（12）：7295-7298

　　5.邢艷輝，韓軍，鄧軍等，淀積在不同小傾角藍寶石襯底的n型GaN的研究 物理學報 2009 58（4）：2644-2648

　　6.邢艷輝, 鄧軍, 徐晨等，p型GaN低溫粗化提高發(fā)光二極管特性 物理學報 2010 59（2）：1233-1236

　　五、聯(lián)系方式
　　辦公電話：010-67392503-814， 010-67392924-814

　　Email：
 

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