個(gè)人簡(jiǎn)介
王偉（1964年5月－），男，副教授。畢業(yè)于東南大學(xué)，獲生物醫(yī)學(xué)工程專業(yè)工學(xué)博士學(xué)位?，F(xiàn)在南京郵電大學(xué)電子科學(xué)與 工程學(xué)院從事納電子器件的科研教學(xué)工作，主要研究方向是納電子器件量子輸運(yùn)的建模仿真?，F(xiàn)主持一項(xiàng)江蘇省高校自然科學(xué)研究面上項(xiàng)目“Graphene- based新型自旋場(chǎng)效應(yīng)管研究（No 10KJD510006）”，另外，作為主要參加者參與一項(xiàng)江蘇省高校自然科學(xué)研究面上項(xiàng)目“新型石墨烯材料結(jié)構(gòu)及量子自旋霍爾效應(yīng)研（No 10KJD510005）”。近年來(lái)，在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文30余篇, 其中包括IEEE Transactions on Electron Devices，Solid State Electronics，Superlattices and Microstructures等國(guó)際核心期刊。

研究方向及主要成果
研究方向：納電子學(xué)，圖像處理

近期發(fā)表的主要學(xué)術(shù)論文
[1]Wei Wang, Ning Gu, J.P. Sun , and P. Mazumder. Gate Current Modeling of High-k Stack Nanoscale MOSFETs. Solid State Electronics 2006, 50(9) :1489-1494. （Sci, Ei收錄）
[2]Wei Wang, Jianhui Liao, Jianping Sun, and Ning Gu. Simulation of the electrical characteristics of a one-dimensional quantum dot array. Superlattices and Microstructures, 2008,44 (6): 721-727. （Sci, Ei收錄）
[3]J. P. Sun, Wei Wang, Toru Toyabe, Ning Gu, and Pinaki Mazumder. Modeling of Gate Current and Capacitance in Nanoscale-MOS Structures, IEEE Transactions on Electron Devices 2006, 53(12): 2950-2957. （Sci, Ei收錄）
[4]Wang Wei , Sun Jianping, and Gu Ning. Modeling of Gate Tunneling Current for Nanoscale MOSFETs with High-k Gate Stacks, Chinese Journal of Semiconductors , 2006, 27(7) :1170-1176. （Ei收錄）
[5]Wei Wang, J. P. Sun, Toru Toyabe, Ning Gu, and Pinaki Mazumder. Modeling of high-k gate stack of tunnel barrier in nonvolatile memory MOS structure, IEEE nano 2008, 8th IEEE Conference on Nanotechnology, 2008: 3-5. （Ei收錄）
[6]王偉, 黃嵐, 張宇, 李昌敏, 張海黔, 顧寧, 沈浩瀛, 陳堂生, 郝麗萍, 彭力, 趙麗新. 用分子自組裝技術(shù)制備的單電子器件的Monte Carlo 模擬. 物理學(xué)報(bào), 2002, 51(1): 63-67.（Sci, Ei收錄）
[7]王偉, 張海黔, 顧寧. 隨機(jī)背景極化電荷對(duì)單電子電路影響的分析.固體電子學(xué)研究與進(jìn)展, 2003, 23(1): 14-17.（Ei收錄）
[8]王偉, 孫建平, 顧寧. 基于氧化鉿的柵介質(zhì)納米MOSFET柵電流模型. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展, 2006, 26(4): 436-440. （Ei收錄）
[9]王偉, 孫建平, 徐麗娜 ，顧寧. 減少納米MOS器件柵電流的研究分析. 電子器件, 2006, 29(3): 617-619. （Ei收錄）
[10]王偉, 孫建平,顧寧. 納米級(jí)MOSFET隧穿柵電流量子模型. 微電子學(xué). 2006, 36(5): 622-625.
[11]王偉, 孫建平, 顧寧. 納米雙柵MOSFET的量子格林函數(shù)模擬. 東南大學(xué)學(xué)報(bào), 2006, 36(6): 917-919. （Ei收錄）
[12]王偉，孫建平，顧寧. 高k介質(zhì)納米MOSFET柵電流和電容模型. 南京郵電大學(xué)學(xué)報(bào), 2006, 26(6): 6-10. （Ei收錄）
[13]王偉, 孫建平,顧寧. 納米MOS器件柵泄漏電流的模擬分析，第十五屆全國(guó)半導(dǎo)體集成電路、硅材料學(xué)術(shù)會(huì)議論文集，2007: 740-742.
[14]王偉，廖建輝，孫建平，顧寧. 一維納米顆粒鏈電學(xué)特性的格林函數(shù)模擬，2007納米和表面科學(xué)與技術(shù)全國(guó)會(huì)議論文集，2007: 79-79.
[15]王偉. 納米MOS 器件的設(shè)計(jì)模型. 電氣電子教學(xué)學(xué)報(bào), 2006, 28(10): 57-60.

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