陶志闊 ，男，導(dǎo)師。

簡介：
博士，1981年9月生。 2004年6月畢業(yè)于南京大學(xué)物理系磁學(xué)專業(yè)，獲學(xué)士學(xué)位，2010年3月畢業(yè)于南京大學(xué)物理系微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)，獲博士學(xué)位，2008年10月 至2009年4月通過教育部公派項(xiàng)目于澳大利亞悉尼大學(xué)進(jìn)行合作研究，2010年3月至南京郵電大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院工作。 近年來，作為主要研究人員，參與并完成了多項(xiàng)國家“863”計(jì)劃，“973”重點(diǎn)研究計(jì)劃以及國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目。目前作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，承擔(dān)國家自然科 學(xué)基金青年基金項(xiàng)目、江蘇省高校自然科學(xué)基金項(xiàng)目和南京郵電大學(xué)引進(jìn)人才基金項(xiàng)目各一項(xiàng)。迄今，在Journal of Crystal Growth，Applied Physics Letters, Chinese Physics Letters等國際SCI期刊、國內(nèi)核心期刊上發(fā)表論文十余篇，獲得多項(xiàng)專利授權(quán)。
研究方向?yàn)榘雽?dǎo)體材料與器件，磁電子材料與器件。尤其是以GaN為代表的III族氮化物光電信息材料、寬禁帶磁性半導(dǎo)體材料、納米磁性復(fù)合材料的電磁性能、光學(xué)性能研究，以及相關(guān)自旋電子學(xué)器件設(shè)計(jì)與特性研究。

Email： zhktao@163.com

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