西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院導(dǎo)師：張金風(fēng)

發(fā)布時(shí)間：2021-11-22 編輯：考研派小莉 推薦訪問(wèn)：
西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院導(dǎo)師：張金風(fēng)

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西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院導(dǎo)師：張金風(fēng) 正文


姓名：張金風(fēng)　性別：女
職稱：副教授 學(xué)院：微電子學(xué)院
研究方向：GaN電子材料和器件，（Al)GaN短波長(zhǎng)激光材料和器件

張金風(fēng)，女，1977年出生。2006年獲得西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士學(xué)位，隨后在西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院任教，2008年被評(píng)為副教授。2009年2月～2010年1月在英國(guó)Sheffield大學(xué)做普訪合作研究。

主持了西安應(yīng)用材料創(chuàng)新基金、高校博士點(diǎn)新教師基金等項(xiàng)目，參與了國(guó)家973 計(jì)劃、電子發(fā)展基金、自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目等項(xiàng)目。2009年優(yōu)化AlGaN多量子阱激光材料獲得低閾值紫外受激發(fā)射的研究成果被semiconductor today等科技網(wǎng)站引用報(bào)道（http://www.semiconductor-today.com/news_items/2009/OCT/SHEFFIELD_281009.htm），2010－2011年研究獲得性能達(dá)到國(guó)際水平的InAlN/GaN電子材料和器件。2006年－2011年在Applied Physics Letters, Chinese Physics（B）, 物理學(xué)報(bào)，中國(guó)科學(xué)，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)等期刊發(fā)表論文二十余篇，申請(qǐng)專利四項(xiàng)。


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