中山大學(xué)理工學(xué)院導(dǎo)師：劉揚(yáng) 正文

　　姓名：劉揚(yáng)　 性別：男　　出生年月：1969年8月　
　　職稱(chēng)：教授　　學(xué)院：理工學(xué)院　 最后學(xué)歷：博士
　　主要研究方向：寬禁帶III-V族氮化物半導(dǎo)體材料與器件

教學(xué)科研情況

1991年、1994年和2000年于吉林大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院微電子學(xué)和固體電子學(xué)專(zhuān)業(yè)分別獲得學(xué)士、碩士和博士學(xué)位。主要從事寬譜高功率1.55微米量子阱InGaAsP/InP集成超輻射光源的研制的研究工作。

1994年9月至2001年10月，吉林大學(xué)通信工程學(xué)院，助教、講師。從事光通信教學(xué)和科研工作。

2001年11月至2007年4月在日本名古屋工業(yè)大學(xué)納米器件與系統(tǒng)研究中心訪(fǎng)問(wèn)研究，主要從事GaN基材料的MOCVD法生長(zhǎng)以及它在發(fā)光器件和電子器件方面的應(yīng)用研究。

2007年5月至今，中山大學(xué)，教授。

教學(xué)課程: 《半導(dǎo)體物理》《半導(dǎo)體光電器件》

承擔(dān)課題

中山大學(xué)百人計(jì)劃引進(jìn)人才研究項(xiàng)目

中山大學(xué)后備重點(diǎn)課題項(xiàng)目

發(fā)表論文

1.Y. Liu, T. Egawa, and H. Jiang “Enhancement-mode quaternary AlInGaN/GaN HEMT with non-recessed-gate on sapphire substrate” Electronics Letters, Vol.42, pp.884 (2006.07)

2.Yang Liu, Takashi Egawa, Hao Jiang, Baijun Zhang and Hiroyasu Ishikawa “Novel Quaternary AlInGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors on Sapphire Substrate” Japanese Journal of Applied Physics, Vol.45, pp.5728 (2006.07)

3.Y. Liu, H. Jiang, T. Egawa, B. Zhang, and H. Ishikawa “Al composition dependent properties of quaternary AlInGaN Schottky diodes” Journal of Applied Physics, Vol. 99, pp.123702 (2006.06)

4.H. Jiang, T. Egawa, M. Hao, Y. Liu “Reduction of threading dislocations in AlGaN layers grown on AlN/sapphire templates using high-temperature GaN interlayer”, Applied Physics Letters, Vol. 87, pp.241911 (2005.12)

5.Y. Liu, H. Jiang, S. Arulkumaran, T. Egawa, B. Zhang and H. Ishikawa “Demonstration of undoped quaternary AlInGaN/GaN heterostructure field-effect transistor”, Applied Physics Letters, Vol.86, pp.223510 (2005.05).

6.Baijun Zhang, Takashi Egawa, Hiroyasu Ishikawa, Yang Liu, and Takashi Jimbo “Thin-film InGaN multiple-quantum-well light-emitting diodes transferred from Si (111) substrate onto copper carrier by selective lift-off”, Applied Physics Letters, Vol. 86, No.7, pp.071113 (2005.02).
 

中山大學(xué)

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